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据报道，俄罗斯绿城纳米技术中心（ZNTC）已成功研制出一台电子束光刻机（ELL）原型机，设计标准为150纳米。  该项目属于俄罗斯国家计划科学技术发展框架下的重点研发任务，代号为Progress ELL 150。  这台设备主要用于制造光掩模，也可在不使用掩模的情况下直接在基板上绘制电路图案。150纳米制程大致对应20年前英特尔奔腾4的性能水平。  2025年ZNTC曾展示过350纳米分辨率的同类设备，目前已向90纳米和130纳米技术节点推进。  据悉，该设备的两台原型机正在进行为期约四个月的综合性测试，随后将进入成像精度等工艺参数的验证阶段。其中一台原型机将被运往距绿城2000公里外的地点进行进一步测试。  电子束光刻的优势在于灵活性，科研和原型开发阶段可快速更改图案，无需制造昂贵的光掩模。但其致命短板是速度太慢，无法用于大规模量产。  行业专家指出，这种设备仅适合航天、国防等领域的专用芯片小批量生产。  需要指出的是，俄罗斯半导体产业正面临多重困境，包括缺乏65纳米以下制程的工程人才、90纳米以下光刻胶依赖进口、精密激光干涉仪和温控系统等关键零部件短缺。